STP7NK80ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.5Ом, 5.2А [TO-220FP]
![STP7NK80ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.5Ом, 5.2А [TO-220FP]](/file/p_img/1793627.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP7NK80ZFP
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.2 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.8 Ом/2.6А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Крутизна характеристики, S | 5 |
| Корпус | to-220fp |
STP7NK80ZFP - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор с защитой от стабилитрона 800 В, разработанный с использованием технологии SuperMES…
STP7N80K5, Транзистор MOSFET N-канал 800В 6А [TO-220]
![STP7N80K5, Транзистор MOSFET N-канал 800В 6А [TO-220]](/file/p_img/1793626.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP7N80K5
N-канальные серии MDmesh ™ K5, SuperMESH5 ™, STMicroelectronics
STP75NF75, Транзистор, STRIPFET II, N-канал, 75В, 0.0095Ом, 80А [TO-220AB]
![STP75NF75, Транзистор, STRIPFET II, N-канал, 75В, 0.0095Ом, 80А [TO-220AB]](/file/p_img/1793625.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP75NF75
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.011 Ом/40А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Крутизна характеристики, S | 20 |
| Корпус | to-220 |
N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают с…
STP6NK90ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 900В, 1.56 Ом, 5.8А [TO-220FP]
![STP6NK90ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 900В, 1.56 Ом, 5.8А [TO-220FP]](/file/p_img/1793624.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP6NK90ZFP
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2 Ом/2.9А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Крутизна характеристики, S | 5 |
| Корпус | to-220fp |
MOSFET, N, TO-220FP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 900V Current, Id Cont 5.8A Resistance, Rds On 2ohm Voltage, Vgs Rd…
STP6NK60ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 600В, 1 Ом, 6А [TO-220FP]
![STP6NK60ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 600В, 1 Ом, 6А [TO-220FP]](/file/p_img/1793623.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP6NK60ZFP
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2 Ом/3А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 32 |
| Крутизна характеристики, S | 5 |
| Корпус | to-220fp |
MOSFET, N, TO-220FP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 600V Current, Id Cont 6A Resistance, Rds On 1.2ohm Voltage, Vgs Rd…
STP6N62K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 620 В, 0.95 Ом, 5.5А [TO-220AB]
![STP6N62K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 620 В, 0.95 Ом, 5.5А [TO-220AB]](/file/p_img/1793622.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP6N62K3
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 620 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2 Ом/2.8А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 90 |
| Корпус | to-220 |
STP65NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.0015Ом, 60А [TO-220AB]
![STP65NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.0015Ом, 60А [TO-220AB]](/file/p_img/1793621.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP65NF06
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.014 Ом/30А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Крутизна характеристики, S | 50 |
| Корпус | to-220 |
N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают с…
STP62NS04Z, Транзистор MOSFET N-канал 33В 62А [TO-220]
![STP62NS04Z, Транзистор MOSFET N-канал 33В 62А [TO-220]](/file/p_img/1793620.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP62NS04Z
| Структура | n-канал |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.015 Ом/30a, 10В |
| Корпус | to-220 |
N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics
STP60NF06, Транзистор MOSFET N-CH 60А 60В [TO-220]
![STP60NF06, Транзистор MOSFET N-CH 60А 60В [TO-220]](/file/p_img/1793618.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, STP60NF06
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.016 Ом/30А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Корпус | to-220 |
STP60NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.014Ом, 60А [TO-220AB]
![STP60NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.014Ом, 60А [TO-220AB]](/file/p_img/1793617.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STP60NF06
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.016 Ом/30А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Корпус | to-220 |
N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают с…