EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

STP9NK50ZFP, МОП-транзистор, N Канал, 7.2 А, 500 В, 0.72 Ом, 10 В, 3.75 В, TO-220FP
STP9NK50ZFP, МОП-транзистор, N Канал, 7.2 А, 500 В, 0.72 Ом, 10 В, 3.75 В, TO-220FP
Производитель: ST Microelectronics, STP9NK50ZFP
Структура n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.85 Ом/3.6a, 10В
Корпус to-220fp

• Чрезвычайно высокая dv • способность dt • 100% лавинные испытания • Минимальный заряд затвора • Очень низкая внутренняя ем…

STP90NF03L, Транзистор MOSFET N-CH 30В 70A [TO-220]
STP90NF03L, Транзистор MOSFET N-CH 30В 70A [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, STP90NF03L

STP8NK80ZFP, Транзистор MOSFET N-канал 800В 6.2А [TO-220FP]
STP8NK80ZFP, Транзистор MOSFET N-канал 800В 6.2А [TO-220FP]
Производитель: ST Microelectronics, STP8NK80ZFP
Структура n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.5 Ом/3.1a, 10В
Корпус to-220fp

Транзисторы семейства SuperMesh (серия NK) отличаются малым сопротивлением сток-исток в открытом состоянии, поэтому меньше нагреваются и могут испол…

STP8NK80Z, МОП-транзистор, N Канал, 6.2 А, 800 В [TO-220]
STP8NK80Z, МОП-транзистор, N Канал, 6.2 А, 800 В [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, STP8NK80Z
Структура n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.5 Ом/3.1a, 10В
Корпус to-220

STP8N90K5, Транзистор MOSFET N-CH 900V 8A [TO-220]
STP8N90K5, Транзистор MOSFET N-CH 900V 8A [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, STP8N90K5

STP80PF55, Транзистор
Производитель: ST Microelectronics, STP80PF55

STP80NF55-08, МОП-транзистор, N-канальный, 80 А, 55 В, 8 мОм, 10 В, 3 В, [TO-220]
STP80NF55-08, МОП-транзистор, N-канальный, 80 А, 55 В, 8 мОм, 10 В, 3 В, [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, STP80NF55-08
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.008 Ом/40А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 300
Крутизна характеристики, S 40
Корпус to-220

N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают с…

STP80NF55-06, Транзистор MOSFET N-CH 55V 80A [TO-220]
STP80NF55-06, Транзистор MOSFET N-CH 55V 80A [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, STP80NF55-06

N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают с…

STP80NF12, Транзистор, STRIPFET II, N-канал, 120В, 0.013Ом, 80A [TO-220AB]
STP80NF12, Транзистор, STRIPFET II, N-канал, 120В, 0.013Ом, 80A [TO-220AB]
Производитель: ST Microelectronics, STP80NF12
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 120
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.018 Ом/40А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 300
Крутизна характеристики, S 80
Корпус to-220

N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics

STP80NF03L-04, Транзистор MOSFET N-канал 30В 80А [TO-220]
STP80NF03L-04, Транзистор MOSFET N-канал 30В 80А [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, STP80NF03L-04

N-канал 30V 80A (Tc) 300W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB