ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP5NK80ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.9 Ом, 4.3А [TO-220FP] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP5NK80ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.9…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP5NK80ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.9 Ом, 4.3А [TO-220FP]
Последняя цена
98 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы семейства SuperMesh (серия NK) отличаются малым сопротивлением сток-исток в открытом состоянии, поэтому меньше нагреваются и могут использоваться с малогабаритными радиаторами. Также транзисторы SuperMesh отличаются наличием встречных защитных стабилитронов между выводами затвора и истока, которые защищают переход от ESD разрядов и высокого напряжения переходных процессов. Применение таких интегрированных транзисторов устраняет необходимость во внешних защитных компонентах. Кроме того, семейство SuperMesh имеет улучшенные показатели скорости нарастания напряжения dv/dt, поэтому могут использоваться для ответственных применений.
Транзисторы применяются в различных источниках питания (бесперебойные источники питания, адаптеры, зарядные устройства), в электронных балластах ламп, а также для коррекции коэффициента мощности.
Приборы выпускаются в стандартных корпусах ТО-220.
Особенности транзисторов SuperMesh:
- высокие показатели dv/dt
- 100% тестирование на лавинный пробой
- минимизированный заряд затвора
- сверхнизкая внутренняя собственная емкость
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP5NK80ZFP
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793616
Технические параметры
Вес, г
2
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
4.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
2.4 Ом/2.15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
30
Корпус
to-220fp
Техническая документация
STP5NK80ZFP datasheet , pdf
, 395 КБ
STP5NK80Z datasheet , pdf
, 395 КБ