Fairchild Semiconductor, Электронные компоненты/Транзисторы/Полевые (FETs, MOSFETs) - цена, информация


FDB28N30TM, MOSFET,FDB28N30TM
FDB28N30TM, MOSFET,FDB28N30TM
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDB28N30TM

N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-тран…

FDP5800, MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 60 V, 0.0046 ohm, 20 V, 2.5 V
FDP5800, MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 60 V, 0.0046 ohm, 20 V, 2.5 V
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDP5800

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, более 60 А, Fairchild Semiconductor

FDMS86101, MOSFET силовой модуль
FDMS86101, MOSFET силовой модуль
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDMS86101

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, более 60 А, Fairchild Semiconductor

FDS4685, Транзистор
FDS4685, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDS4685

FDS4685 - это полевой МОП-транзистор PowerTrench® с P-каналом -40 В, специально разработанный для минимизации сопротивления в открытом состоянии…

FDMC510P, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDMC510P

FDN336P, Транзистор
FDN336P, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDN336P

• Высокопроизводительная технология траншеи для чрезвычайно низкого RDS (ВКЛ) • Типичный низкий уровень заряда затвора 3,6 нК

FDC5612, Транзистор
FDC5612, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDC5612

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor

FDA70N20, Транзистор
FDA70N20, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDA70N20

N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-тран…

FDS3672, Транзистор
FDS3672, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDS3672

МОП-транзистор 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V

FDC658P, Транзистор, P, SUPERSOT-6
FDC658P, Транзистор, P, SUPERSOT-6
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDC658P

• Высокопроизводительная технология траншеи для чрезвычайно низкого RDS (ON) • Типичный низкий заряд затвора 8 нКл