FDC658P, Транзистор, P, SUPERSOT-6, Fairchild Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 69 руб.

Сравнить

Описание

• Высокопроизводительная технология траншеи для чрезвычайно низкого RDS (ON)
• Типичный низкий заряд затвора 8 нКл

Информация

Производитель

Fairchild Semiconductor

Артикул

FDC658P

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1806572

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.016

Ширина

1.6 mm

Высота

1.1 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

4 A

Pd - рассеивание мощности

1.6 W

Qg - заряд затвора

12 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

50 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

14 ns

Время спада

14 ns

Длина

2.9 mm

Другие названия товара №

FDC658P_NL

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

PowerTrench

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

9 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

FDC658P

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

24 ns

Типичное время задержки при включении

12 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

SSOT-6

Продукт

MOSFET Small Signal

Тип

MOSFET

Техническая документация

Datasheet FDC658P , pdf , 221 КБ
Datasheet FDC658P , pdf , 204 КБ

FDC658P, Транзистор, P, SUPERSOT-6 - характеристики, поставщики

Последняя цена 69 руб.

Техническая документация