FDB28N30TM, MOSFET,FDB28N30TM, Fairchild Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 288 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor
МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он имеет наименьшее сопротивление в открытом состоянии среди планарных полевых МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую устойчивость к лавинной энергии. Кроме того, внутренний антистатический диод затвор-исток позволяет MOSFET-транзистору UniFET-II ™ выдерживать импульсное напряжение HBM более 2000 В.
Полевые МОП-транзисторы UniFET ™ подходят для применения в импульсных преобразователях мощности, таких как коррекция коэффициента мощности (PFC), плоские дисплеи (FPD) Питание телевизора, ATX (Advanced Technology eXtended) и электронные балласты для ламп.

Информация

Производитель

Fairchild Semiconductor

Артикул

FDB28N30TM

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1807933

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

28 A

Максимальное рассеяние мощности

250 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

11.33мм

Высота

4.83мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

129 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

300 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.67мм

Серия

UniFET

Типичное время задержки выключения

79 нс

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.67 x 11.33 x 4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

35 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

39 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1690 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Техническая документация

Datasheet FDB28N30TM , pdf , 667 КБ
Datasheet , pdf , 666 КБ

FDB28N30TM, MOSFET,FDB28N30TM - характеристики, поставщики

Последняя цена 288 руб.

Техническая документация