ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDA70N20, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FDA70N20, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDA70N20, Транзистор
Последняя цена
425 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor
МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он имеет наименьшее сопротивление в открытом состоянии среди планарных полевых МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую устойчивость к лавинной энергии. Кроме того, внутренний антистатический диод затвор-исток позволяет MOSFET-транзистору UniFET-II ™ выдерживать импульсное напряжение HBM более 2000 В.
Полевые МОП-транзисторы UniFET ™ подходят для применения в импульсных преобразователях мощности, таких как коррекция коэффициента мощности (PFC), плоские дисплеи (FPD) Питание телевизора, ATX (Advanced Technology eXtended) и электронные балласты для ламп.
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FDA70N20
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1806781
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
7.207
Максимальный непрерывный ток стока
70 A
Максимальное рассеяние мощности
417 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5мм
Высота
20.1мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
35 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
15.8мм
Серия
UniFET
Типичное время задержки выключения
65 нс
Тип корпуса
TO-3PN
Размеры
15.8 x 5 x 20.1мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
71 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
66 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
3050 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Техническая документация
Datasheet FDA70N20 , pdf
, 2304 КБ
Datasheet FDA70N20 , pdf
, 2299 КБ
