FDN336P, Транзистор, Fairchild Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 67 руб.

Сравнить

Описание

• Высокопроизводительная технология траншеи для чрезвычайно низкого RDS (ВКЛ)
• Типичный низкий уровень заряда затвора 3,6 нК

Информация

Производитель

Fairchild Semiconductor

Артикул

FDN336P

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1806993

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.398

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 A

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.4мм

Высота

0.94мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

200 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

2.92мм

Серия

PowerTrench

Типичное время задержки выключения

16 нс

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

2.92 x 1.4 x 0.94мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

7 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

3.6 nC @ 4.5 V

Типичная входная емкость при Vds

330 pF @ 10 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Техническая документация

Datasheet FDN336P , pdf , 196 КБ
Datasheet , pdf , 171 КБ

FDN336P, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 67 руб.

Техническая документация