ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDS3672, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FDS3672, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDS3672, Транзистор
Последняя цена
380 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FDS3672
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1806594
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.227
Максимальный непрерывный ток стока
7,5 А
Максимальное рассеяние мощности
2.5 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
2мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
23 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
100 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
5мм
Серия
UltraFET
Типичное время задержки выключения
37 нс
Тип корпуса
SOIC
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
28 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
2015 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet FDS3672 , pdf
, 365 КБ
Datasheet FDS3672 , pdf
, 363 КБ
