ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDC5612, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FDC5612, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDC5612, Транзистор
Последняя цена
180 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FDC5612
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1806846
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
4.3 A
Максимальное рассеяние мощности
1,6 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.7мм
Высота
1мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
64 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
3мм
Серия
PowerTrench
Типичное время задержки выключения
19 нс
Тип корпуса
SOT-23
Размеры
3 x 1.7 x 1мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
6
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
12,5 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
650 pF @ 25 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet FDC5612 , pdf
, 235 КБ
Datasheet FDC5612 , pdf
, 177 КБ
Datasheet FDC5612 , pdf
, 180 КБ