ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDMS86101, MOSFET силовой модуль - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FDMS86101, MOSFET силовой модуль
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDMS86101, MOSFET силовой модуль
Последняя цена
122 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, более 60 А, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FDMS86101
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1807784
Технические параметры
Вес, г
0.5
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
Power 56
Transistor Material
Si
Length
5.1mm
Brand
ON Semiconductor
Series
PowerTrench
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Power Dissipation
104 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.25mm
Height
1.05mm
Maximum Drain Source Resistance
14 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Dimensions
5.1 x 6.25 x 1.05mm
Typical Turn-On Delay Time
15 ns
Typical Turn-Off Delay Time
27 ns
Category
Power MOSFET
Typical Input Capacitance @ Vds
2255 pF@ 50 V
Техническая документация
Datasheet FDMS86101 , pdf
, 532 КБ
Datasheet , pdf
, 549 КБ