RGTH60TS65DGC11, IGBT, 58 A 650 V, 3-Pin TO-247N
Производитель: Rohm, RGTH60TS65DGC11
SemiconductorsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop Trench
RGTH40TS65GC11, IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-247N
Производитель: Rohm, RGTH40TS65GC11
SemiconductorsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A IGBT Stop Trench
RGS50TSX2HRGC11, БТИЗ транзистор, 50 А, 1.7 В, 395 Вт, 1.2 кВ, TO-247N, 3 вывод(-ов)
Производитель: Rohm, RGS50TSX2HRGC11
RGCL80TS60DGC11
Производитель: Rohm
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярн…
NXH100B120H3Q0STG, , Q0BOOST , N-Channel Dual IGBT Transistor Module 1200 V, Surface Mount
Производитель: ON Semiconductor, NXH100B120H3Q0STG
SemiconductorsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 120…
NGTG30N60FLWG, IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-247
Производитель: ON Semiconductor, NGTG30N60FLWG
Semiconductors IGBT Discretes, ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) для приводо…
NGTB25N120SWG, IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247
Производитель: ON Semiconductor, NGTB25N120SWG
Semiconductors IGBT Discretes, ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) для приводо…
NGTB20N120IHRWG, IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-247
Производитель: ON Semiconductor, NGTB20N120IHRWG
Semiconductors IGBT Discretes, ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) для приводо…