RGTH60TS65DGC11, IGBT, 58 A 650 V, 3-Pin TO-247N, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 320 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop Trench

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

RGTH60TS65DGC11

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1351789

Технические параметры

Brand

ROHM

Package Type

TO-247N

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

16мм

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

650 В

Maximum Continuous Collector Current

58 A

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Width

5мм

Height

21mm

Pin Count

Dimensions

16 x 5 x 21mm

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Channel Type

Максимальное рассеяние мощности

194 W

Минимальная рабочая температура

40 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

30 V

Емкость затвора

66pF

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Вес, г

6.6

Количество транзисторов

Pd - рассеивание мощности

194 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.6 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

58 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

58 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

450

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

+/- 200 nA

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка

Tube

Другие названия товара №

RGTH60TS65D

Серия

RGTH60TS65

Технология

Непрерывный коллекторный ток

30 A

Диапазон рабочих температур

40 C to + 175 C

Техническая документация

Datasheet RGTH60TS65DGC11 , pdf , 1234 КБ

RGTH60TS65DGC11, IGBT, 58 A 650 V, 3-Pin TO-247N - характеристики, поставщики

Последняя цена 320 руб.

Техническая документация