NXH100B120H3Q0STG, , Q0BOOST , N-Channel Dual IGBT Transistor Module 1200 V, Surface Mount, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 7600 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. Solder pins, TIM

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

NXH100B120H3Q0STG

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1324751

Технические параметры

Тип корпуса

Q0BOOST

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Brand

ON Semiconductor

Base Product Number

NXH100 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tray

Package / Case

Module

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)

Height

11.9мм

Длина

66.2мм

Конфигурация транзистора

Двойной

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное рассеяние мощности

186 Вт

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Число контактов

Размеры

66.2 x 32.8 x 11.9мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Current - Collector (Ic) (Max)

50A

Power - Max

186W

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+150 °C

IGBT Type

Trench Field Stop

Ширина

32.8мм

Конфигурация

Двойной

Configuration

2 Independent

Pd - рассеивание мощности

186 W

Вид монтажа

Press Fit

Категория продукта

Модули биполярных транзисторов с изолированным зат

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.77 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

50 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Modules

Ток утечки затвор-эмиттер

800 nA

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tray

Упаковка / блок

Q0BOOST

Current - Collector Cutoff (Max)

200ВµA

Input

Standard

Input Capacitance (Cies) @ Vce

9.075nF @ 20V

NTC Thermistor

Продукт

IGBT Silicon Carbide Modules

Технология

SiC

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1511 КБ
Datasheet , pdf , 1291 КБ

NXH100B120H3Q0STG, , Q0BOOST , N-Channel Dual IGBT Transistor Module 1200 V, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 7600 руб.

Техническая документация