ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NGTB40N65FL2WG, IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NGTB40N65FL2WG, IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
NGTB40N65FL2WG, IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247
Последняя цена
530 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NGTB40N65FL2WG
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1321676
Технические параметры
Производитель
ON Semiconductor
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Configuration
Одинарный
Длина
16.26мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
80 A
Максимальное рассеяние мощности
366 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
21.08мм
Число контактов
3
Размеры
16.26 x 5.3 x 21.08мм
Скорость переключения
1МГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
5.3мм
Техническая документация
Datasheet NGTB40N65FL2WG , pdf
, 140 КБ