SKM200GB12E4, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 313 А, 1.8 В, 1.2 кВ, Module
Производитель: Semikron Elektronik, SKM200GB12E4
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули Двойные модули IGBT Серия модулей SEMITOP® IGBT от S…
SKM150GAR12T4, Модуль IGBT
Производитель: Semikron Elektronik, SKM150GAR12T4
Semiconductors Модули с одиночным IGBT SEMIKRON предлагает модули IGBT (биполярный транзистор с изолированным затв…
SK25GAL063, Модуль IGBT
Производитель: Semikron Elektronik, SK25GAL063
Semiconductors Модули с одиночным IGBT SEMIKRON предлагает модули IGBT (биполярный транзистор с изолированным затв…
SGW30N60FKSA1, IGBT
Производитель: Infineon Technologies, SGW30N60FKSA1
Semiconductors Дискретные IGBT-транзисторы Infineon Дискретные IGBT-транзисторы Infineon предлагают различные техн…
SGP23N60UFTU, IGBT
Производитель: ON Semiconductor, SGP23N60UFTU
Semiconductors Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor
SEMiX603GB12E4p, Модуль транзистора IGBT
Производитель: Semikron Elektronik, SEMiX603GB12E4p
Semiconductors Модули SEMiX® Dual IGBT Двойные модули IGBT от Semikron в современных низкопрофильных корпусах SEMi…
SEMiX303GB12E4p, Модуль транзистора IGBT
Производитель: Semikron Elektronik, SEMiX303GB12E4p
Semiconductors Модули SEMiX® Dual IGBT Двойные модули IGBT от Semikron в современных низкопрофильных корпусах SEMi…
RJP4010AGE-01#P5, IGBT
Производитель: Renesas Technology, RJP4010AGE-01#P5
Semiconductors Дискретные БТИЗ, Renesas Electronics
RJH65T46DPQ-A0#T0, IGBT
Производитель: Renesas Technology, RJH65T46DPQ-A0#T0
Semiconductors Дискретные БТИЗ, Renesas Electronics
RGTH80TS65DGC11, IGBT, 70 A 650 V, 3-Pin TO-247N
Производитель: Rohm, RGTH80TS65DGC11
SemiconductorsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A IGBT Stop Trench