ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
RGCL80TS60DGC11 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
RGCL80TS60DGC11
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
RGCL80TS60DGC11
Последняя цена
710 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Информация
Производитель
Rohm
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1351648
Технические параметры
Base Product Number
RGCL80 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Bulk
Package / Case
TO-247-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247N
Минимальная рабочая температура
40 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
30 V
Current - Collector (Ic) (Max)
65A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160A
Gate Charge
98nC
Power - Max
148W
Switching Energy
1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
53ns/227ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Reverse Recovery Time (trr)
58ns
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
IGBT Type
Trench Field Stop
Конфигурация
Single
Pd - рассеивание мощности
148 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
65 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
30
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
200 nA
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Bulk
Упаковка / блок
TO-247-3
Другие названия товара №
RGCL80TS60D
Технология
Si
Техническая документация
Datasheet RGCL80TS60DGC11 , pdf
, 645 КБ
Datasheet RGCL80TS60DGC11 , pdf
, 901 КБ
