ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
RGTH40TS65GC11, IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-247N - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
RGTH40TS65GC11, IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-247N
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
RGTH40TS65GC11, IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-247N
Последняя цена
240 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A IGBT Stop Trench
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
RGTH40TS65GC11
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1351785
Технические параметры
Brand
ROHM
Package Type
TO-247N
Base Product Number
RGTH40 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247N
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
16мм
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Continuous Collector Current
40 A
Maximum Power Dissipation
144 Вт
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Width
5мм
Pin Count
3
Dimensions
16 x 5 x 21mm
Maximum Gate Emitter Voltage
±30V
Channel Type
N
Gate Capacitance
47pF
Минимальная рабочая температура
40 C
Высота
21мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
30 V
Current - Collector (Ic) (Max)
40A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80A
Gate Charge
40nC
Power - Max
144W
Td (on/off) @ 25В°C
22ns/73ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
IGBT Type
Trench Field Stop
Number of Transistors
1
Pd - рассеивание мощности
144 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
40 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
40 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
450
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
+/- 200 nA
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247-3
Другие названия товара №
RGTH40TS65
Серия
RGTH40TS65
Технология
Si
Непрерывный коллекторный ток
20 A
Диапазон рабочих температур
40 C to + 175 C
Other Related Documents
http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/power/inn
Simulation Models
http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Техническая документация
Datasheet RGTH40TS65GC11 , pdf
, 966 КБ