NGTB20N120IHRWG, IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-247, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 620 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

IGBT Discretes, ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) для приводов двигателей и других приложений с сильноточной коммутацией.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

NGTB20N120IHRWG

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1321670

Технические параметры

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

ON Semiconductor

Package Type

TO-247

Base Product Number

NGTB20 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-40В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

16.25мм

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Power Dissipation

384 W

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Width

5.3мм

Height

21.4mm

Pin Count

Dimensions

16.25 x 5.3 x 21.4mm

Switching Speed

1МГц

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Channel Type

Длина

16.25mm

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

40 А

Максимальное рассеяние мощности

384 W

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Высота

21.4mm

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Current - Collector (Ic) (Max)

40A

Current - Collector Pulsed (Icm)

120A

Gate Charge

225nC

Power - Max

384W

Switching Energy

450ВµJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

-/235ns

Test Condition

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 20A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

IGBT Type

Trench Field Stop

Конфигурация

Single

Pd - рассеивание мощности

384 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.1 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

40 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247

Серия

NGTB20N120IHR

Технология

Техническая документация

Datasheet NGTB20N120IHRWG , pdf , 245 КБ
Datasheet NGTB20N120IHRWG , pdf , 181 КБ

NGTB20N120IHRWG, IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 620 руб.

Техническая документация