ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NGTG30N60FLWG, IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-247 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NGTG30N60FLWG, IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-247
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
NGTG30N60FLWG, IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-247
Последняя цена
420 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) для приводов двигателей и других приложений с сильноточной коммутацией.
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NGTG30N60FLWG
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1321678
Технические параметры
Brand
ON Semiconductor
Package Type
TO-247
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
16.25мм
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
60 A
Maximum Power Dissipation
250 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
5.3мм
Height
21.4mm
Pin Count
3
Dimensions
16.25 x 5.3 x 21.4mm
Switching Speed
1МГц
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Channel Type
N