ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
HGTP3N60A4D, Транзистор IGBT 600В 17А 70Вт [TO-220AB] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
HGTP3N60A4D, Транзистор IGBT 600В 17А 70Вт [TO-220AB]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
HGTP3N60A4D, Транзистор IGBT 600В 17А 70Вт [TO-220AB]
Последняя цена
350 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
HGTP3N60A4D
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1745639
Технические параметры
Вес, г
2.7
Техническая документация
Datasheet HGT1S3N60A4DS, HGTP3N60A4D , pdf
, 116 КБ
![HGTP3N60A4D, Транзистор IGBT 600В 17А 70Вт [TO-220AB]](/file/p_img/1745639.jpg)