Транзисторы - Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - купить, сравнить

HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]

Производитель: ON Semiconductor, HGTG5N120BND

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.7
Корпус	to-247
Технология/семейство	npt
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	21
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	167
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	160
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	40
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	22

Сравнить

IRG4BC20UD-SPBF, IGBT 600В 13А 8-60кГц, [D2-Pak]

Производитель: International Rectifier, IRG4BC20UD-SPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.1
Корпус	d2-pak
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	13
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	93
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	52
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	39

Сравнить

IRG4PC40SPBF, IGBT 600В 31А 1кГц [TO-247AC]

Производитель: International Rectifier, IRG4PC40SPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	1.5
Корпус	to-247ac
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	160
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	650
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	120
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	22

Один IGBT более 21 А, Infineon Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом и об…

Сравнить

IRG7S313UTRLPBF, PDP IGBT 330В 40A, [D2-PAK]

Производитель: International Rectifier, IRG7S313UTRLPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	330
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	1.35
Корпус	d2-pak
Технология/семейство	pdp trench
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	40
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	78
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	65
Рабочая температура (Tj), °C	-40…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	160
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	1

Сравнить

IRGP4068D-EPBF, IGBT 600В 96А 8-30кГц [TO-247AD]

Производитель: Infineon Technologies, IRGP4068D-EPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.14
Корпус	TO-247AD
Технология/семейство	trench
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	96
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	145
Рабочая температура (Tj), °C	-40…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А	144

Co-Pack IGBT более 21A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику…

Сравнить

IRGPS40B120UDP, Транзистор, IGBT 1200В 40А 5-40кГц, [Super-247]

Производитель: International Rectifier, IRGPS40B120UDP

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	3.7
Корпус	super-247
Технология/семейство	npt
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	595
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	332
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	160
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	76

IGBT NPT 1.2V 80A 595W Through Hole SUPER-247в„ў (TO-274AA)

Сравнить

SGB15N60HS (G15N60HS), IGBT N-CH 600V 27A [TO-263]

Производитель: Infineon Technologies, SGB15N60HS (G15N60HS)

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	3.15
Корпус	p-to-263-3-2
Технология/семейство	npt
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	27
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	138
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	209
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	60
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	13

Сравнить

SGP15N120XKSA1 (GP15N120), Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт, (замена для BUP213), [TO-220]

Производитель: Infineon Technologies, SGP15N120XKSA1 (GP15N120)

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	3.6
Корпус	pg-to-220-3-1
Технология/семейство	npt
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	30
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	198
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	580
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	52
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	18

Сравнить

STGW20NC60VD, IGBT 50КГц/30А/600В диод, [TO-247]

Производитель: ST Microelectronics, STGW20NC60VD

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.5
Корпус	to-247
Технология/семейство	powermesh
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	200
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	100
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	150
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	31

• Возможность работы с большими токами • Работа на высоких частотах до 50 кГц • Очень мягкий антипараллельный диод со сверхбыстрым вос…

Сравнить

STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3]

Производитель: ST Microelectronics, STGW39NC60VD

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.4
Корпус	to-247
Технология/семейство	powermesh
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	178
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	220
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	33

Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics

Сравнить