ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MG06200S-BN4MM - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Littelfuse
MG06200S-BN4MM
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
MG06200S-BN4MM
Последняя цена
16950 руб.
Сравнить
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 200A Dual
Информация
Производитель
Littelfuse
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1742619
Технические параметры
Минимальная рабочая температура
40 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20 V
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Конфигурация
Dual
Вес, г
160
Pd - рассеивание мощности
600 W
Вид монтажа
Chassis Mount
Категория продукта
Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.45 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
300 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
50
Тип продукта
IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер
400 nA
Торговая марка
Littelfuse
Упаковка
Bulk
Упаковка / блок
Package S
Продукт
IGBT Silicon Modules
Серия
MG06200S
Технология
Si
Техническая документация
Datasheet MG06200S-BN4MM , pdf
, 1351 КБ
