FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Дискретные IGBT, 1000 В и более, Fairchild Semiconductor

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FGA25N120ANTDTU

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1742187

Вес, г

6.5

Максимальное напряжение КЭ ,В

1200

Напряжение насыщения при номинальном токе, В

2.65

Корпус

to-3p

Управляющее напряжение,В

5.5

Технология/семейство

npt trench

Наличие встроенного диода

да

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

312

Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс

190

Рабочая температура (Tj), °C

-55…+150

Импульсный ток коллектора (Icm), А

Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс

Структура

igbt+диод

Дополнительные опции

встроенный быстродействующий диод

FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN] - характеристики, поставщики