GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C], Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 440 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

GT60N321

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1742162

Технические параметры

Вес, г

9.8

Максимальное напряжение КЭ ,В

1000

Напряжение насыщения при номинальном токе, В

2.8

Корпус

to3p

Технология/семейство

gen4

Наличие встроенного диода

да

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

170

Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс

700

Рабочая температура (Tj), °C

-55…+150

Импульсный ток коллектора (Icm), А

120

Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс

330

Структура

npn

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В

1000

Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В

1000

Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

Статический коэффициент передачи тока h21э мин

Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

Техническая документация

GT60N321_datasheet_en_20131101 - копия , pdf , 212 КБ

GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C] - характеристики, поставщики

Последняя цена 440 руб.

Техническая документация