ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]
Последняя цена
290 руб.
Сравнить
Описание
Дискретные IGBT, Toshiba
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
GT30J322(Q)
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1746515
Технические параметры
Вес, г
5.8
Максимальное напряжение КЭ ,В
600
Корпус
2-16f1a
Технология/семейство
gen4
Наличие встроенного диода
да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
30
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
75
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А
60
Техническая документация
Datasheet GT30J322 , pdf
, 428 КБ