ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NGTB15N60S1EG - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NGTB15N60S1EG
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
NGTB15N60S1EG
Последняя цена
300 руб.
Сравнить
Описание
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) для приводов двигателей и других приложений с сильноточной коммутацией.
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1746194
Технические параметры
Brand
ON Semiconductor
Package Type
TO-220
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.28мм
Maximum Collector Emitter Voltage
600 В
Maximum Continuous Collector Current
30 A
Maximum Power Dissipation
117 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Pin Count
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Высота
15.75мм
Размеры
10.28 x 4.82 x 15.75мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Ширина
4.82мм
Вес, г
2
Техническая документация
Datasheet NGTB15N60S1EG , pdf
, 133 КБ