ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXYK100N120C3, Транзистор IGBT 1200В 188A 1150Вт [TO-264] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXYK100N120C3, Транзистор IGBT 1200В 188A 1150Вт [TO-264]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXYK100N120C3, Транзистор IGBT 1200В 188A 1150Вт [TO-264]
Последняя цена
2280 руб.
Сравнить
Описание
Дискретные транзисторы IGBT, серия IXYS XPT
Дискретные транзисторы IGBT серии XPT ™ от IXYS оснащены технологией сверхлегких сквозных тонких пластин, что позволяет снизить тепловое сопротивление и потери энергии. Эти устройства предлагают быстрое переключение с низким остаточным током и доступны в различных отраслевых стандартных и патентованных пакетах.
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXYK100N120C3
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1746456
Технические параметры
Вес, г
10
Максимальное напряжение КЭ ,В
1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
3.5
Корпус
TO-264
Технология/семейство
genx3, xpt
Наличие встроенного диода
нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
188
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
1150
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
123
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А
490
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
32
Техническая документация
Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYX100N120C3_Datasheet.PDF , pdf
, 203 КБ