ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
Последняя цена
690 руб.
Сравнить
Описание
Дискретные IGBT, 1000 В и более, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FGL40N120ANDTU
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1766231
Технические параметры
Вес, г
10
Максимальное напряжение КЭ ,В
1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
3.2
Корпус
TO-264
Технология/семейство
npt
Наличие встроенного диода
да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
64
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
500
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
110
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А
160
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
15
Структура
n-канал+диод
Техническая документация
FGL40N120AND , pdf
, 496 КБ
Datasheet FGL40N120ANDTU , pdf
, 704 КБ
Datasheet FGL40N120ANDTU , pdf
, 687 КБ
Datasheet FGL40N120ANDTU , pdf
, 702 КБ
Datasheet FGL40N120ANDTU , pdf
, 587 КБ