ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N6…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]
Последняя цена
380 руб.
Сравнить
Описание
Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FGH80N60FDTU
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1766230
Технические параметры
Вес, г
7.5
Максимальное напряжение КЭ ,В
600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.4
Корпус
to-247
Технология/семейство
field stop
Наличие встроенного диода
да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
290
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
126
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А
160
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
21
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
FGH80N60FD , pdf
, 319 КБ
Datasheet FGH80N60FDTU , pdf
, 389 КБ