FGH75T65SHDTL4, Транзистор IGBT 650В 150В 455Вт [TO-247], Fairchild Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 640 руб.

Сравнить

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3 TIGBT Excellent switching performan

Информация

Производитель

Fairchild Semiconductor

Артикул

FGH75T65SHDTL4

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1766229

Технические параметры

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

ON Semiconductor

Package Type

TO-247

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

15.8мм

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

650 В

Maximum Continuous Collector Current

150 A

Maximum Power Dissipation

455 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

22.74mm

Dimensions

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Switching Speed

1МГц

Channel Type

Gate Capacitance

3710pF

Номинальная энергия

160µJ

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Ширина

5.2мм

Вес, г

7.5

Number of Transistors

Техническая документация

FGH75T65SHDTL4 , pdf , 424 КБ
Datasheet FGH75T65SHDTL4 , pdf , 571 КБ
Datasheet FGH75T65SHDTL4 , pdf , 403 КБ
Datasheet FGH75T65SHDTL4 , pdf , 568 КБ

FGH75T65SHDTL4, Транзистор IGBT 650В 150В 455Вт [TO-247] - характеристики, поставщики

Последняя цена 640 руб.

Техническая документация