ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FGH40T100SMD, Транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт, [TO-247-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FGH40T100SMD, Транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт, [TO-247-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FGH40T100SMD, Транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт, [TO-247-3]
Последняя цена
470 руб.
Сравнить
Описание
Дискретные IGBT, 1000 В и более, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FGH40T100SMD
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1766225
Технические параметры
Вес, г
7.5
Максимальное напряжение КЭ ,В
1000
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.3
Корпус
to-247a03
Технология/семейство
trench and fieldstop
Наличие встроенного диода
да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
333
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
285
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А
120
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
29
Техническая документация
FGH40T100SMD , pdf
, 1209 КБ
Datasheet FGH40T100SMD , pdf
, 586 КБ