MJD122T4, Транзистор NPN, 100В, 8А, 20Вт, [D-PAK]
![MJD122T4, Транзистор NPN, 100В, 8А, 20Вт, [D-PAK]](/file/p_img/1782859.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, MJD122T4
| Структура | npn darlington c 2 резисторами и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000…12000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1.75 |
| Корпус | dpak(to-252) |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
Транзисторы Дарлингтона NPN, STMicroelectronics
MJD122G, Транзистор Darlington NPN 100В 8А 17.5Вт [DPAK (2-pin + Tab)]
![MJD122G, Транзистор Darlington NPN 100В 8А 17.5Вт [DPAK (2-pin + Tab)]](/file/p_img/1782858.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MJD122G
Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor
MJD117G, Транзистор Darlington PNP 100V 2A 1750mW Automotive [DPAK]
![MJD117G, Транзистор Darlington PNP 100V 2A 1750mW Automotive [DPAK]](/file/p_img/1782857.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MJD117G
Транзисторы Дарлингтона PNP, ON Semiconductor
MJ802G, Транзистор NPN 90В 30А [TO-3]
![MJ802G, Транзистор NPN 90В 30А [TO-3]](/file/p_img/1782853.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MJ802G
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 90 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 30 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 200 |
| Корпус | то-3 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 2 |
Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor
MJ2955, Транзистор, PNP -60В -15А 115Вт [TO-3] (= КТ818АМ...ГМ)
![MJ2955, Транзистор, PNP -60В -15А 115Вт [TO-3] (= КТ818АМ...ГМ)](/file/p_img/1782852.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, MJ2955
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 15 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 115 |
| Корпус | то-3 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 2.5 |
MJ21196G, Транзистор NPN 250В 16А [TO-3]
![MJ21196G, Транзистор NPN 250В 16А [TO-3]](/file/p_img/1782851.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MJ21196G
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 16 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 250 |
| Корпус | то-3 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
Биполярные транзисторы - BJT 16A 250V 250W NPN
MJ21195G, Транзистор PNP 250В 16А [TO-3]
![MJ21195G, Транзистор PNP 250В 16А [TO-3]](/file/p_img/1782850.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MJ21195G
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 16 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 250 |
| Корпус | то-3 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
Биполярный (BJT) транзистор PNP 250V 16A 4MHz 250W Through Hole TO-204 (TO-3)
MJ21194G, Транзистор, NPN, 250В, 16А, 250Вт, [TO-3]
![MJ21194G, Транзистор, NPN, 250В, 16А, 250Вт, [TO-3]](/file/p_img/1782849.jpg)
Производитель: Китай, MJ21194G
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 16 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 250 |
| Корпус | то-3 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
MJ21194G, Транзистор, NPN, 250В, 16А, 250Вт, [TO-3]
![MJ21194G, Транзистор, NPN, 250В, 16А, 250Вт, [TO-3]](/file/p_img/1782848.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MJ21194G
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 16 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 250 |
| Корпус | то-3 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor
MJ21193G, Транзистор, PNP, 250В, 16А, 250Вт, [TO-3]
![MJ21193G, Транзистор, PNP, 250В, 16А, 250Вт, [TO-3]](/file/p_img/1782847.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MJ21193G
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 16 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 250 |
| Корпус | то-3 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
• Характеристики общих гармонических искажений • Высокое усиление по постоянному току • Превосходная линейность усиления • Высоки…