MJD122G, Транзистор Darlington NPN 100В 8А 17.5Вт [DPAK (2-pin + Tab)], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 49 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MJD122G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1782858

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.4

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.38мм

Высота

2.38мм

Длина

6.73мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Ширина

6.22мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 В

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4,5 В

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Максимальный запирающий ток коллектора

0.01mA

Техническая документация

Datasheet MJD122, NJVMJD122, MJD127, NJVMJD127 , pdf , 101 КБ
Datasheet , pdf , 143 КБ
Datasheet , pdf , 104 КБ
Datasheet , pdf , 108 КБ
Datasheet , pdf , 339 КБ

MJD122G, Транзистор Darlington NPN 100В 8А 17.5Вт [DPAK (2-pin + Tab)] - характеристики, поставщики

Последняя цена 49 руб.

Техническая документация