EL

Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить

Биполярные (BJTs)

ST13005А, Транзистор NPN 400В 4А 75Вт [TO-220]
ST13005А, Транзистор NPN 400В 4А 75Вт [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, ST13005А
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 75
Корпус to-220

ST13003, Транзистор NPN 400В 1.5А 40Вт (=MJE13003), [TO-126 / SOT-32]
ST13003, Транзистор NPN 400В 1.5А 40Вт (=MJE13003), [TO-126 / SOT-32]
Производитель: ST Microelectronics, ST13003
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 40
Корпус to-126

MJE13003, Транзистор NPN, 400В, 1А, 40Вт [TO-126]
MJE13003, Транзистор NPN, 400В, 1А, 40Вт [TO-126]
Производитель: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd, MJE13003
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 8
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1.4
Корпус to-126
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 10

MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, [TO-252]
MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, [TO-252]
Производитель: ON Semiconductor, MJD45H11T4G
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1.75
Корпус dpak(to-252)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 90

MJD45H11T4G - это биполярный силовой транзистор PNP на 8 А, разработанный для универсальных силовых и импульсных выходных или управляющих каскад…

MJD45H11G, Транзистор, PNP, 8A, 80V, [D-PAK]
MJD45H11G, Транзистор, PNP, 8A, 80V, [D-PAK]
Производитель: ON Semiconductor, MJD45H11G
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1.75
Корпус dpak(to-252)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 90

MJD45H11G - это биполярный силовой транзистор PNP на 8 А, предназначенный для общих силовых и импульсных выходных или управляющих каскадов в так…

MJD44H11G, Транзистор, NPN 80B/8A/20 Вт, [D-PAK / TO-252]
MJD44H11G, Транзистор, NPN 80B/8A/20 Вт, [D-PAK / TO-252]
Производитель: ON Semiconductor, MJD44H11G
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1.75
Корпус dpak(to-252)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 85

Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor

MJD340T4, Транзистор NPN 300В 0.5А [D-PAK]
MJD340T4, Транзистор NPN 300В 0.5А [D-PAK]
Производитель: ST Microelectronics, MJD340T4
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30…240
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 15
Корпус dpak(to-252)

Силовые транзисторы NPN, STMicroelectronics

MJD32CT4, Транзистор PNP 100В 3A [DPAK]
MJD32CT4, Транзистор PNP 100В 3A [DPAK]
Производитель: ST Microelectronics, MJD32CT4

MJD31CG, Транзистор NPN 100В 3А [DPAK]
MJD31CG, Транзистор NPN 100В 3А [DPAK]
Производитель: ON Semiconductor, MJD31CG

Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor

MJD127G, Транзистор PNP Darlington 100В 8А [D-PAK]
MJD127G, Транзистор PNP Darlington 100В 8А [D-PAK]
Производитель: ON Semiconductor, MJD127G
Структура pnp darlington
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 1000…12000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1,75
Корпус dpak(to-252)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4

Транзисторы Дарлингтона PNP, ON Semiconductor