MJD117G, Транзистор Darlington PNP 100V 2A 1750mW Automotive [DPAK], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 140 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы Дарлингтона PNP, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MJD117G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1782857

Технические параметры

Вес, г

0.6

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Transistor Type

PNP

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

3 В

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

6.73mm

Maximum Collector Base Voltage

100 В

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

100 В

Package Type

DPAK (TO-252)

Maximum Power Dissipation

20 Вт

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

6.22mm

Height

2.38mm

Pin Count

Dimensions

6.73 x 6.22 x 2.38mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 В

Minimum DC Current Gain

1000

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

4 V

Maximum Collector Cut-off Current

20µA

Maximum Continuous Collector Current

2 A

Техническая документация

Datasheet , pdf , 207 КБ
Datasheet , pdf , 155 КБ
Datasheet , pdf , 149 КБ

MJD117G, Транзистор Darlington PNP 100V 2A 1750mW Automotive [DPAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 140 руб.

Техническая документация