MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]
![MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3]](/file/p_img/1782833.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MJ11016G
Структура | npn darlington |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 120 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 30 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 200 |
Корпус | то-3 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor
MJ11015G, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 120 В, 30 А, [TO-3]
![MJ11015G, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 120 В, 30 А, [TO-3]](/file/p_img/1782832.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MJ11015G
Структура | pnp darlington |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 120 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 30 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 200 |
Корпус | то-3 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
Транзисторы Дарлингтона PNP, ON Semiconductor
MJ11015, Транзистор, PNP Darlington, 120 В, 30 А, 200Вт [TO-3]
![MJ11015, Транзистор, PNP Darlington, 120 В, 30 А, 200Вт [TO-3]](/file/p_img/1782831.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, MJ11015
Структура | pnp darlington |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 120 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 30 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 200 |
Корпус | то-3 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
MD1802FX, Транзистор BJT NPN Power Transistor, [ISOWATT-218FX-3]
![MD1802FX, Транзистор BJT NPN Power Transistor, [ISOWATT-218FX-3]](/file/p_img/1782076.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, MD1802FX
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 700 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 5.5…8.5 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 57 |
Корпус | ISOWATT-218FX |
Корпус ISOWATT218FX
LM395T/NOPB, Транзистор NPN c защитой от перегрузки, 36В, 2.2А [TO-220-3]
![LM395T/NOPB, Транзистор NPN c защитой от перегрузки, 36В, 2.2А [TO-220-3]](/file/p_img/1778074.jpg)
Производитель: Texas Instruments, LM395T/NOPB
Биполярные транзисторы - BJT ULTRA RELIABLE PWR TRANSISTOR
KTC9015, Биполярный транзистор PNP 50В 0.15А 0.625Вт 60МГц [TO-92]
![KTC9015, Биполярный транзистор PNP 50В 0.15А 0.625Вт 60МГц [TO-92]](/file/p_img/1776556.jpg)
Производитель: Korea Electronics, KTC9015
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.15 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.625 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 60 |
KTC9014S-RTK/P, Транзистор NPN 60В 0.15А 0.625Вт 60МГц [SOT-23]
![KTC9014S-RTK/P, Транзистор NPN 60В 0.15А 0.625Вт 60МГц [SOT-23]](/file/p_img/1776555.jpg)
Производитель: Korea Electronics, KTC9014S-RTK/P
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.15 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.35 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 60 |
KTC9013S-H-RTK/P, Биполярный транзистор, NPN, 30В, 500 мА, 350 мВт, 140 МГц [SOT-23]
![KTC9013S-H-RTK/P, Биполярный транзистор, NPN, 30В, 500 мА, 350 мВт, 140 МГц [SOT-23]](/file/p_img/1776554.jpg)
Производитель: Korea Electronics, KTC9013S-H-RTK/P
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 144 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.35 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 140 |