EL

Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить

Биполярные (BJTs)

MJ15025G, Транзистор PNP 250В 16А 250Вт [TO-3]
MJ15025G, Транзистор PNP 250В 16А 250Вт [TO-3]
Производитель: ON Semiconductor, MJ15025G
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 250
Корпус то-3
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4

Корпус TO204AA, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 250 Вт, Напряжение КЭ максимальное 250 В, Ток коллектора 16 А, Коэффициен…

MJ15024G, Транзистор NPN 250В 16А 250Вт [TO-3]
MJ15024G, Транзистор NPN 250В 16А 250Вт [TO-3]
Производитель: ON Semiconductor, MJ15024G
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 250
Корпус то-3
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4

Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor

MJ15023G, Транзистор PNP 200В 16А [TO-3]
MJ15023G, Транзистор PNP 200В 16А [TO-3]
Производитель: ON Semiconductor, MJ15023G
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 200
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 250
Корпус то-3
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4

Корпус TO204AA, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 250 Вт, Напряжение КЭ максимальное 200 В, Ток коллектора 16 А, Коэффициен…

MJ15022G, Транзистор NPN 200В 16А [TO-3]
MJ15022G, Транзистор NPN 200В 16А [TO-3]
Производитель: ON Semiconductor, MJ15022G
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 200
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 250
Корпус то-3
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4

Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor

MJ15015G, Транзистор NPN 120В 15А [TO-3]
MJ15015G, Транзистор NPN 120В 15А [TO-3]
Производитель: ON Semiconductor, MJ15015G
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 180
Корпус то-3
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 6

Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor

MJ15004, Транзистор PNP 140В 20А 250Вт [TO3]
Производитель: Multicomp, MJ15004

MJ15004G, Транзистор PNP 140В 20А 250Вт [TO-3]
MJ15004G, Транзистор PNP 140В 20А 250Вт [TO-3]
Производитель: ON Semiconductor, MJ15004G
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 140
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 20
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 250
Корпус то-3
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 2

TRANSISTOR, PNP, TO-3; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: PNP; Voltage, Vceo: 140V; Current, Ic Continuous a Max: 20A; Voltage, Vce Sat…

MJ15003G, Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 20 А, 250 Вт, [TO-3]
MJ15003G, Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 20 А, 250 Вт, [TO-3]
Производитель: ON Semiconductor, MJ15003G
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 140
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 20
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 250
Корпус то-3
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 2

Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor

MJ11021G, Транзистор Дарлингтона 30A 250V, [TO-204 / TO-3]
MJ11021G, Транзистор Дарлингтона 30A 250V, [TO-204 / TO-3]
Производитель: ON Semiconductor, MJ11021G
Структура pnp darlington
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 400…15000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 175
Корпус то-3
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3

Транзисторы Дарлингтона PNP, ON Semiconductor

MJ11016, Транзистор, NPN Darlington, 120 В, 30 А, 200Вт [TO-3]
MJ11016, Транзистор, NPN Darlington, 120 В, 30 А, 200Вт [TO-3]
Производитель: Inchange Semiconductor, MJ11016
Структура npn darlington
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 30
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 200
Корпус то-3
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4