MJE253G, Транзистор PNP 100В 4А [TO-126]
![MJE253G, Транзистор PNP 100В 4А [TO-126]](/file/p_img/1782889.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MJE253G
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1,5 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 40 |
Транзисторы PNP общего назначения, более 1 А, ON Semiconductor
MJE243G, Транзистор NPN 100В 4А [TO-126]
![MJE243G, Транзистор NPN 100В 4А [TO-126]](/file/p_img/1782888.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MJE243G
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1,5 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 40 |
NPN-транзисторы общего назначения, более 1 А, ON Semiconductor
MJE182, NPN,80V,3A,SOT32, транзистор
Производитель: ST Microelectronics, MJE182
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 12.5 |
| Корпус | sot-32(to-126) |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 50 |
MJE15035G, Транзистор PNP 350В 4А [TO-220]
![MJE15035G, Транзистор PNP 350В 4А [TO-220]](/file/p_img/1782886.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MJE15035G
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 350 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
| Корпус | to-220 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 30 |
Корпус TO-220-3, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 350 В, Ток коллектора 4 А, Коэффициент…
MJE15034G, Транзистор NPN 350В 4А [TO-220]
![MJE15034G, Транзистор NPN 350В 4А [TO-220]](/file/p_img/1782885.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MJE15034G
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 350 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
| Корпус | to-220 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 30 |
350 В) • Напряжение эмиттер-база (Vcbo = 5 В)
![MJE15033G, Транзистор PNP 250В 8А [TO-220]](/file/p_img/1782884.jpg)
MJE15033G, Транзистор PNP 250В 8А [TO-220]
![MJE15033G, Транзистор PNP 250В 8А [TO-220]](/file/p_img/1782883.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MJE15033G
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
| Корпус | to-220 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 30 |
TRANSISTOR, PNP, TO-220 Transistor Type Bipolar Transistor Polarity PNP Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 250V Current Ic Continuous a Max 8A V…
![MJE15032G, Транзистор NPN 250В 8А [TO-220]](/file/p_img/1782882.jpg)
MJE15032G, Транзистор NPN 250В 8А [TO-220]
![MJE15032G, Транзистор NPN 250В 8А [TO-220]](/file/p_img/1782881.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MJE15032G
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
| Корпус | to-220 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 30 |
• Высокое усиление по постоянному току • Полоса пропускания с высоким коэффициентом усиления по току • Эпоксидная смола соответствует…
MJE15031G, Транзистор PNP 150В 8А [TO-220]
![MJE15031G, Транзистор PNP 150В 8А [TO-220]](/file/p_img/1782880.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MJE15031G
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 150 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 50 |
| Корпус | to-220 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 30 |
MJE15031G - кремниевый биполярный силовой транзистор PNP, разработанный для использования в качестве высокочастотного драйвера в усилителях звук…