ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJD122T4, Транзистор NPN, 100В, 8А, 20Вт, [D-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
MJD122T4, Транзистор NPN, 100В, 8А, 20Вт, [D-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJD122T4, Транзистор NPN, 100В, 8А, 20Вт, [D-PAK]
Последняя цена
44 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы Дарлингтона NPN, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
MJD122T4
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1782859
Технические параметры
Вес, г
0.4
Структура
npn darlington c 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
1000…12000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
1.75
Корпус
dpak(to-252)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
4
Техническая документация
MJD122 , pdf
, 577 КБ