ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJ21194G, Транзистор, NPN, 250В, 16А, 250Вт, [TO-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MJ21194G, Транзистор, NPN, 250В, 16А, 250Вт, [TO-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJ21194G, Транзистор, NPN, 250В, 16А, 250Вт, [TO-3]
Последняя цена
630 руб.
Сравнить
Описание
Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MJ21194G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1782848
Технические параметры
Вес, г
18
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
400
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
25
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
250
Корпус
то-3
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
4
Техническая документация
MJ21193, MJ21194 , pdf
, 123 КБ
Datasheet , pdf
, 175 КБ