BSM300D12P3E005, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 300 А, 1.2 кВ, Module
Производитель: Rohm, BSM300D12P3E005
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsMosfet Array 2, N-канал (полумост), 1200 В (1,2 кВ), 300 А (Tc),…
BSM300D12P2E001, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 300 А, 1.2 кВ, Module
Производитель: Rohm, BSM300D12P2E001
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsДискретные полупроводниковые модули 300A SiC Power Module
BSM300C12P3E201, Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Канал, 300 А, 1.2 кВ, Module
Производитель: Rohm, BSM300C12P3E201
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsМодуль для монтажа на шасси N-Channel 1200 В, 300 A (Tc), 1360 В…
BSM250D17P2E004, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 250 А, 1.7 кВ, Module
Производитель: Rohm, BSM250D17P2E004
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsMosfet Array 2 N-Channel (полумост) 1700 В (1,7 кВ) 250 А (Tc) 1…
BSM180D12P3C007, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 180 А, 1.2 кВ, Module
Производитель: Rohm, BSM180D12P3C007
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsДискретные полупроводниковые модули Half Bridge Module SiC UMOSF…
BSM180D12P2E002, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 204 А, 1.2 кВ, Module
Производитель: Rohm, BSM180D12P2E002
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsДискретные полупроводниковые модули 1200V 204A HALF BRIDGE SIC
BSM180C12P3C202, Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Канал, 180 А, 1.2 кВ, Module
Производитель: Rohm, BSM180C12P3C202
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsМодуль для монтажа на шасси N-Channel 1200V 180A (Tc) 880W (TC)…
BSM180C12P2E202, Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Канал, 204 А, 1.2 кВ, Module
Производитель: Rohm, BSM180C12P2E202
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsIGBT Modules 1200V Vdss;204A ID SiC Mod;SICSTD02
BSM120C12P2C201, Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Канал, 134 А, 1.2 кВ, Module
Производитель: Rohm, BSM120C12P2C201
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsMosfet Array 2 N-Channel 1200 В (1,2 кВ) 134A (Tc) 935 Вт (Tc) М…
BSM080D12P2C008, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 80 А, 1.2 кВ, Module
Производитель: Rohm, BSM080D12P2C008
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsДискретные полупроводниковые модули Half Bridge Module SiC DMOS…