BSM180D12P3C007, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 180 А, 1.2 кВ, Module, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 63230 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Дискретные полупроводниковые модули Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

BSM180D12P3C007

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1162182

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Рассеиваемая Мощность

880Вт

Полярность Транзистора

Двойной N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

180А

Пороговое Напряжение Vgs

5.6В

Вес, г

280

MOSFET Configuration

Half Bridge

Минимальная рабочая температура

40 C

Base Product Number

BSM180 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

180A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

ECCN

EAR99

FET Type

2 N-Channel (Dual)

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

175В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

Module

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

Module

Vgs(th) (Max) @ Id

5.6V @ 50mA

FET Feature

Silicon Carbide (SiC)

Power - Max

880W

Id - непрерывный ток утечки

180 A

Pd - рассеивание мощности

880 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1200 V

Vgs - напряжение затвор-исток

4 V, 22 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.7 V

Вид монтажа

Screw Mount

Время нарастания

70 ns

Время спада

50 ns

Категория продукта

Дискретные полупроводниковые модули

Количество каналов

2 Channel

Конфигурация

Half-Bridge

Подкатегория

Discrete Semiconductor Modules

Размер фабричной упаковки

Серия

BSMx

Технология

SiC

Тип продукта

Discrete Semiconductor Modules

Типичное время задержки выключения

165 ns

Типичное время задержки при включении

50 ns

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

Module

Продукт

Power Semiconductor Modules

Тип

SiC Power MOSFET

Упаковка

Tray

Техническая документация

Datasheet BSM180D12P3C007 , pdf , 1468 КБ
Datasheet BSM180D12P3C007 , pdf , 1516 КБ

BSM180D12P3C007, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 180 А, 1.2 кВ, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 63230 руб.

Техническая документация