BSM120C12P2C201, Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Канал, 134 А, 1.2 кВ, Module, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 44780 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Mosfet Array 2 N-Channel 1200 В (1,2 кВ) 134A (Tc) 935 Вт (Tc) Модуль для монтажа на шасси

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

BSM120C12P2C201

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1162178

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Рассеиваемая Мощность

935Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

134А

Пороговое Напряжение Vgs

4В

Вес, г

280

MOSFET Configuration

Chopper

Base Product Number

BSM120 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

134A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

ECCN

EAR99

FET Type

2 N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

Module

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

Module

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 22mA

FET Feature

Silicon Carbide (SiC)

Power - Max

935W (Tc)

Техническая документация

Datasheet BSM120C12P2C201 , pdf , 1391 КБ

BSM120C12P2C201, Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Канал, 134 А, 1.2 кВ, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 44780 руб.

Техническая документация