BSM080D12P2C008, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 80 А, 1.2 кВ, Module, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 39150 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Дискретные полупроводниковые модули Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

BSM080D12P2C008

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1162177

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Рассеиваемая Мощность

600Вт

Полярность Транзистора

Двойной N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

80А

Пороговое Напряжение Vgs

4В

Вес, г

280

MOSFET Configuration

Half Bridge

Минимальная рабочая температура

40 C

Base Product Number

BSM080 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

80A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

ECCN

EAR99

FET Type

2 N-Channel (Dual)

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

175В°C (TJ)

Package

Tray

Package / Case

Module

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

Module

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 13.2mA

FET Feature

Silicon Carbide (SiC)

Power - Max

600W

Id - непрерывный ток утечки

80 A

Pd - рассеивание мощности

600 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1200 V

Vgs - напряжение затвор-исток

6 V, 22 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.6 V

Вид монтажа

Screw Mount

Другие названия товара №

BSM080D12P2C008

Категория продукта

Дискретные полупроводниковые модули

Количество каналов

2 Channel

Конфигурация

Half-Bridge

Подкатегория

Discrete Semiconductor Modules

Размер фабричной упаковки

Серия

BSMx

Тип продукта

Discrete Semiconductor Modules

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

Module

Продукт

Power Semiconductor Modules

Тип

SiC Power MOSFET

Упаковка

Tray

Техническая документация

Datasheet BSM080D12P2C008 , pdf , 256 КБ
Datasheet BSM080D12P2C008 , pdf , 1414 КБ
Datasheet BSM080D12P2C008 , pdf , 1367 КБ

BSM080D12P2C008, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 80 А, 1.2 кВ, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 39150 руб.

Техническая документация