BSM180C12P3C202, Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Канал, 180 А, 1.2 кВ, Module, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 55830 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Модуль для монтажа на шасси N-Channel 1200V 180A (Tc) 880W (TC)

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

BSM180C12P3C202

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1162180

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Рассеиваемая Мощность

880Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

180А

Пороговое Напряжение Vgs

5.6В

Вес, г

280

MOSFET Configuration

Chopper

Base Product Number

BSM180 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

180A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

9000pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

Module

Power Dissipation (Max)

880W (Tc)

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

Module

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+22V, -4V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.6V @ 50mA

Техническая документация

Datasheet BSM180C12P3C202 , pdf , 1306 КБ

BSM180C12P3C202, Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Канал, 180 А, 1.2 кВ, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 55830 руб.

Техническая документация