BSM300D12P3E005, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 300 А, 1.2 кВ, Module, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 153910 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Mosfet Array 2, N-канал (полумост), 1200 В (1,2 кВ), 300 А (Tc), 1260 Вт (Tc), модуль для монтажа на шасси

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

BSM300D12P3E005

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1162187

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Рассеиваемая Мощность

1.26кВт

Полярность Транзистора

Двойной N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

300А

Пороговое Напряжение Vgs

5.6В

Вес, г

280

MOSFET Configuration

Half Bridge

Base Product Number

BSM300 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

300A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

ECCN

EAR99

FET Type

2 N-Channel (Half Bridge)

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

Module

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

Module

Vgs(th) (Max) @ Id

5.6V @ 91mA

FET Feature

Silicon Carbide (SiC)

Power - Max

1260W (Tc)

Техническая документация

Datasheet BSM300D12P3E005 , pdf , 867 КБ

BSM300D12P3E005, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 300 А, 1.2 кВ, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 153910 руб.

Техническая документация