BSM180D12P2E002, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 204 А, 1.2 кВ, Module, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 81920 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Дискретные полупроводниковые модули 1200V 204A HALF BRIDGE SIC

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

BSM180D12P2E002

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1162181

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Рассеиваемая Мощность

1.36кВт

Полярность Транзистора

Двойной N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

204А

Пороговое Напряжение Vgs

4В

Вес, г

280

MOSFET Configuration

Half Bridge

Минимальная рабочая температура

40 C

Base Product Number

BSM180 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

2.4A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

ECCN

EAR99

FET Type

2 N-Channel (Half Bridge)

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

18000pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

Module

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

Module

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 35.2mA

FET Feature

Silicon Carbide (SiC)

Power - Max

1360W (Tc)

Id - непрерывный ток утечки

204 A

Pd - рассеивание мощности

1360 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1200 V

Vgs - напряжение затвор-исток

18 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4 V

Вид монтажа

Screw Mount

Время нарастания

45 ns

Время спада

45 ns

Категория продукта

Дискретные полупроводниковые модули

Подкатегория

Discrete Semiconductor Modules

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

Discrete Semiconductor Modules

Типичное время задержки выключения

125 ns

Типичное время задержки при включении

45 ns

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

Module

Продукт

Power MOSFET Modules

Тип

SiC Power MOSFET

Vr - обратное напряжение

1200 V

Техническая документация

Datasheet BSM180D12P2E002 , pdf , 1417 КБ
Datasheet BSM180D12P2E002 , pdf , 1445 КБ

BSM180D12P2E002, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 204 А, 1.2 кВ, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 81920 руб.

Техническая документация