BSM300D12P2E001, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 300 А, 1.2 кВ, Module, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 85540 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Дискретные полупроводниковые модули 300A SiC Power Module

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

BSM300D12P2E001

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1162186

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Рассеиваемая Мощность

1.875кВт

Полярность Транзистора

Двойной N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

300А

Пороговое Напряжение Vgs

2.7В

Вес, г

280

MOSFET Configuration

Half Bridge

Ширина

62 mm

Высота

17 mm

Минимальная рабочая температура

40 C

Base Product Number

BSM300 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

300A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

ECCN

EAR99

FET Type

2 N-Channel (Half Bridge)

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

35000pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tray

Package / Case

Module

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

Module

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 68mA

FET Feature

Silicon Carbide (SiC)

Power - Max

1875W

Id - непрерывный ток утечки

300 A

Pd - рассеивание мощности

1875 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1200 V

Vgs - напряжение затвор-исток

6 V, 22 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.6 V

Вид монтажа

Screw Mount

Время нарастания

70 ns

Время спада

65 ns

Длина

122 mm

Категория продукта

Дискретные полупроводниковые модули

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Half-Bridge

Подкатегория

Discrete Semiconductor Modules

Размер фабричной упаковки

Серия

BSMx

Технология

SiC

Тип продукта

Discrete Semiconductor Modules

Типичное время задержки выключения

250 ns

Типичное время задержки при включении

80 ns

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

Module

Продукт

Power MOSFET Modules

Тип

SiC Power MOSFET

Упаковка

Bulk

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1244 КБ
Datasheet BSM300D12P2E001 , pdf , 1283 КБ

BSM300D12P2E001, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 300 А, 1.2 кВ, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 85540 руб.

Техническая документация