ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPN50R650CEATMA1, Микросхема - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPN50R650CEATMA1, Микросхема
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPN50R650CEATMA1, Микросхема
Последняя цена
150 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CE
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPN50R650CEATMA1
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1251850
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-223
Рассеиваемая Мощность
5Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
500в
Непрерывный Ток Стока
9А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.59Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
13В
Пороговое Напряжение Vgs
3В
Вес, г
0.01
Линейка Продукции
CoolMOS CE Series